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IGBT单管和IGBT模块的区别

作者: 来源: 日期:2020-5-15 14:11:12 人气:199

IGBT单管和IGBT模块的区别

 IGBT单管的概念 

   IGBT是绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的英文缩写,IGBT根据封装不同可以分为IGBT模块和IGBT单管,IGBT单管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

 IGBT单管和IGBT模块的区别 

     IGBT模块可以看做是IGBT单管的功能改进和升级,它们的运用领域基本一样,但是IGBT模块由于集成了各种驱动保护电路,安装是使用上大大的方便了用户,采用新的封装技术后,IGBT的性能也得到了很大的提升,拓展了IGBT的运用领域! 

     IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的**发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,大大降低电路接线电感,提高系统效率,现已开发成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。


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